Microchip MPLAD36KP30A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

供应商器件包装

PLAD

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD36

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

33.3 V

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

738 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

36 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Moisture Sensitivity Levels

1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MPLAD36KP30A

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.88

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

30 V

工作电压

30 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

33.3V

功率 - 脉冲峰值

36000W (36kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

738A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

48.8V

箝位电压

48.8 V

电压 - 反向断态（典型值）

30V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

Vf-正向电压

4 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes