Microchip MPLAD36KP78AE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD36

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

86.7 V

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

286 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

36 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MPLAD36KP78AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

76.25 V

Risk Rank

5.8

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5, MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

工作电源电压

78 V

工作电压

78 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

86.7V

功率 - 脉冲峰值

36000W (36kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

286A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

126V

箝位电压

126 V

电压 - 反向断态（典型值）

78V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

78 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

36000 W

击穿电压-最小值

86.7 V

最大箝位电压

126 V

击穿电压-最大值

95.8 V

Vf-正向电压

4 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes