Microchip MPLAD6.5KP10CA

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Manufacturer Part Number

HMX4D6A1NAPE

Manufacturer

Cutler Hammer, Div of Eaton Co

Supplier Package

Mini-PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

6500 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD6.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

操作温度

-55 to 150 °C

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

1

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

JESD-30代码

S-PSSO-G1

极性

BIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

11.1V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

383A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

17V

电压 - 反向断态（典型值）

10V

测试电流

5 mA

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

10 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

11.1 V

击穿电压-最大值

12.3 V

输入电压(交流电)

208 VAC