Microchip MPLAD6.5KP13CAE3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Style

小概要

Package Shape

SQUARE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Risk Rank

5.59

Package Description

S-PSSO-G1

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MPLAD6.5KP13CAE3

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD6.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Reverse Stand-off Voltage

13 V

RoHS

Compliant

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

JESD-30代码

S-PSSO-G1

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

14.4V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

302A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

21.5V

箝位电压

21.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

13V

峰值脉冲电流

302 A

峰值脉冲功率

6.5 kW

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

13 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

击穿电压-最小值

14.4 V

双向通道数

1

击穿电压-最大值

15.9 V

最小击穿电压

14.4 V