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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥529.204818
10
¥499.249831
100
¥470.990407
500
¥444.330571
1000
¥419.17979
MQ2N5114详情
Microchip MQ2N5114重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
底架
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-18 (TO-206AA)
终端数量
3
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Schedule B
8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
Package Description
TO-18, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MQ2N5114
Package Shape
ROUND
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.75
Part Package Code
BCY
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
类型
JFET
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率 - 最大
500 mW
场效应管类型
P-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
25pF @ 15V
漏源电压 (Vdss)
30 V
产品类别
JFETs
JEDEC-95代码
TO-18
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
30 mA @ 18 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
10 V @ 1 nA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30 V
电阻-RDS(On)
75 Ohms
产品类别
JFET
MQ2N5114拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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