Microchip MRF8372R1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

底架

表面贴装

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MRF8372R1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SO-8

Risk Rank

5.3

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Collector-Emitter Breakdown Voltage

16 V

RoHS

Compliant

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

2.2 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

16 V

最大集电极电流

200 mA

增益

9.5 dB

转换频率

870 MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

2.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

16 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

2.75 pF

辐射硬化

无