Microchip MRT100KP260CAE3

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AR, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Case 5A (DO-204AR)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

Case 5A

Peak Pulse Power Dissipation

100000 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

MRT100KP260

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 5A

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MRT100KP260CAE3

Power Dissipation (Max)

7 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.55

Usage Level

Military grade

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

极性

BIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

289V

功率 - 脉冲峰值

100000W (100kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

-

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

512V

电压 - 反向断态（典型值）

260V

测试电流

5 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

260 V

JEDEC-95代码

DO-204AR

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

100000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

289 V

击穿电压-最大值

320 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes