Microchip MSMBJ33A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AA, SMB

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

DO-214AA

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJ33

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

36.7 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

11.3 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.2

Part Package Code

DO-214AA

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Manufacturer Part Number

MSMBJ33A

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

Usage Level

Military grade

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

不合格

工作电压

33 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

36.7V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

11.3A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.3V

箝位电压

53.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

33V

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

33 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

36.7 V

击穿电压-最大值

40.6 V