Microchip MSMBJ36CAE3

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Lifetime @ Temp.

--

Voltage Rated

75V

Lead Free Status / RoHS Status

--

Supplier Package

DO-214AA

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJ36

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

40 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

10.3 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMBJ36CAE3

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.56

Part Package Code

DO-214AA

Usage Level

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13

操作温度

-55°C ~ 125°C

尺寸/尺寸

0.135 Dia x 0.286 L (3.43mm x 7.26mm)

容差

±20%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

类型

密封

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

电容量

0.15µF

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

--

工作电压

36 V

失败率

S (0.001%)

极性

双向

引线间距

--

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

制造商的尺寸代码

A

电压 - 击穿

40V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

10.3A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

58.1V

箝位电压

58.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

36V

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

36 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

40 V

击穿电压-最大值

44.2 V

特征

Military

座位高度(最大)

--