Microchip MSMBJ45AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-214AA-2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

Supplier Package

DO-214AA

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

RoHS

Details

Brand

微芯片技术

Manufacturer

Microchip

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Ipp - Peak Pulse Current

8.3 A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Unit Weight

0.003527 oz

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.38 W

Breakdown Voltage / V

50 V

Reverse Stand-off Voltage

45 V

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJ45

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Usage Level

Military grade

操作温度

-65 to 150 °C

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500

类型

Zener

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

45 V

工作电压

45 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

50V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

8.3A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

72.7V

箝位电压

72.7 V

电压 - 反向断态（典型值）

45V

峰值脉冲电流

8.3 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

筛选水平

Military

ESD保护

有

单向通道数

1

最小击穿电压

50 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes