Microchip MSMBJ60Ae3/TR

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AA, SMB

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

MSMBJ60AE3/TR

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

R-PDSO-C2

Risk Rank

5.53

Breakdown Voltage-Nom

70.2 V

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SMBJ60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

66.7V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

6.2A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

96.8V

电压 - 反向断态（典型值）

60V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

60 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

66.7 V

最大箝位电压

96.8 V

击穿电压-最大值

73.7 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes