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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥46.986399
10
¥44.326795
100
¥41.817732
500
¥39.45069
1000
¥37.217627
MSMCJLCE170AE3详情
Microchip MSMCJLCE170AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AB, SMC
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
DO-214AB (SMCJ)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Voltage, Rating
150 V
Package
Bulk
Base Product Number
SMCJLCE170
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Reverse Stand-off Voltage
170 V
RoHS
Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Description
R-PDSO-C2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MSMCJLCE170AE3
Power Dissipation (Max)
5 W
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Breakdown Voltage-Nom
199 V
Risk Rank
5.23
Part Package Code
DO-214AB
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
容差
0.5 %
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
温度系数
25 ppm/°C
类型
Zener
电阻
3.12 kΩ
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
额定功率
250 mW
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-C2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
跨压抑制二极管
电源线保护
无
电压 - 击穿
189V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
5.4A
最大反向漏电电流
5 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
275V
箝位电压
275 V
电压 - 反向断态(典型值)
170V
峰值脉冲电流
5.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
方向
单向
测试电流
1 mA
单向通道
1
产品类别
TVS 二极管
Rep Pk反向电压-最大值
170 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
90pF @ 1MHz
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
单向通道数
1
击穿电压-最小值
189 V
最大箝位电压
275 V
击穿电压-最大值
231 V
最小击穿电压
189 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
高度
650 µm
MSMCJLCE170AE3拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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