MSMCJLCE51AE3详情
Microchip MSMCJLCE51AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AB, SMC
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB (SMCJ)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
SMCJLCE51
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Package Description
R-PDSO-C2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MSMCJLCE51AE3
Power Dissipation (Max)
5 W
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Breakdown Voltage-Nom
59.7 V
Risk Rank
5.24
Part Package Code
DO-214AB
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
哑光锡
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-C2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
电源线保护
无
电压 - 击穿
56.7V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
18.2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
82.4V
电压 - 反向断态(典型值)
51V
单向通道
1
产品类别
TVS 二极管
Rep Pk反向电压-最大值
51 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
100pF @ 1MHz
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
56.7 V
最大箝位电压
82.4 V
击穿电压-最大值
62.7 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
MSMCJLCE51AE3拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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