Microchip MSMLG5.0AE3/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-215AB, SMC Gull Wing

表面安装

YES

供应商器件包装

SMLG (DO-215AB)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SMLG5.0

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

6.4 V

Pd - Power Dissipation

6 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.007408 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

326 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

3 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMLG5.0AE3/TR

Power Dissipation (Max)

1.61 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

6.7 V

Risk Rank

5.55

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

R-PDSO-G2

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Reel

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

1 mA

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

工作电压

5 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

6.4V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

326A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

9.2V

箝位电压

9.2 V

电压 - 反向断态（典型值）

5V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

5 V

JEDEC-95代码

DO-215AB

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

击穿电压-最小值

6.4 V

最大箝位电压

9.2 V

击穿电压-最大值

7 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes