Microchip MSMLJ30ATR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AB, SMC

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMLJ (DO-214AB)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Number of Elements

1

Reverse Stand-off Voltage

30 V

Schedule B

8541100080

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SMLJ30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

N

Brand

微芯片技术

Manufacturer

Microchip

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

3 kW

Ipp - Peak Pulse Current

62 A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Unit Weight

0.009065 oz

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

6 W

Breakdown Voltage / V

33.3 V

Package Description

PLASTIC, SMLJ, 2 PIN

Risk Rank

5.55

Breakdown Voltage-Nom

35.05 V

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Power Dissipation (Max)

1.61 W

Manufacturer Part Number

MSMLJ30A/TR

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

20

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

包装

卷带

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn10Pb90)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

unknown

额定电流

2 uA

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

工作电压

30 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

泄漏电流

2 µA

二极管类型

跨压抑制二极管

功率耗散

3 kW

电源线保护

无

电压 - 击穿

33.3V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

62A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

48.4V

箝位电压

48.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

30V

峰值脉冲电流

62 A

峰值脉冲功率

3 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

-

反向击穿电压

33.3 V

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

最大击穿电压

36.8 V

击穿电压-最小值

33.3 V

最大箝位电压

48.4 V

击穿电压-最大值

36.8 V

最小击穿电压

33.3 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

RoHS状态

RoHS non-compliant

无铅

含铅