Microchip MSMLJ36CAE3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AB, SMC

供应商器件包装

DO-214AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

1.61 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

MSMLJ36CAE3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

R-PDSO-J2

Risk Rank

5.56

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Supplier Package

DO-214AB

Peak Pulse Power Dissipation

3000 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

SMLJ36

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Usage Level

Military grade

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-PDSO-J2

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

40V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

51.6A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

58.1V

电压 - 反向断态（典型值）

36V

测试电流

1 mA

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

36 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

40 V

击穿电压-最大值

44.2 V