MUPTB12E3详情
Microchip MUPTB12E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-216AA
供应商器件包装
Powermite 1 (DO216-AA)
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
容差
2 %
类型
Zener
电阻
1.3 MΩ
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
额定功率
250 mW
电源线保护
无
电压 - 击穿
13.8V
功率 - 脉冲峰值
1000W (1kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
6.94A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
21.6V
电压 - 反向断态(典型值)
12V
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
电容@频率
-
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
无铅
含铅
MUPTB12E3拓展信息
Microchip Technology
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