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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥352.124507
10
¥332.192935
100
¥313.389562
500
¥295.650527
1000
¥278.915586
MV1N8160详情
Microchip MV1N8160重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
A, Axial
供应商器件包装
A, Axial
Manufacturer Part Number
AML51-F10R
Manufacturer
Honeywell-Microswitch
Package
Bulk
Base Product Number
1N8160
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Breakdown Voltage / V
22.8 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
4.5 A
Brand
微芯片技术
RoHS
N
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
类型
Zener
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
额定电流
500 nA
终端样式
Axial
工作电压
20 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
22.8V
功率 - 脉冲峰值
150W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
4.5A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
33.3V
箝位电压
33.3 V
电压 - 反向断态(典型值)
20V
单向通道
1
产品类别
TVS 二极管
电容@频率
-
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
MV1N8160拓展信息
Microchip Technology
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