Microchip MV2N4092

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Pd - Power Dissipation

0.36 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

15 mA

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

50 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

40 V

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

- 40 V

Id - Continuous Drain Current

- 0.1 nA

Package

Bulk

Base Product Number

MV2N4092

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MV2N4092

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.67

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/431

ECCN 代码

EAR99

类型

JFET

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

360 mW

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

16pF @ 20V

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-206AA

漏极-源极导通最大电阻

50 Ω

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

JUNCTION

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

15 mA @ 20 V

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40 V

电阻-RDS(On)

50 Ohms

产品类别

JFET