Microchip MXLLCE12AE3

包装/外壳

Case-1-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

CASE-1

Cd - Diode Capacitance

100 pF

Breakdown Voltage / V

13.3 V

Pd - Power Dissipation

1.52 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

75 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package

Bulk

Base Product Number

LCE12

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

终端样式

Axial

工作电源电压

12 V

工作电压

12 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

13.3V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

75A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

19.9V

箝位电压

19.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

12V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

100pF @ 1MHz

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes