MXLPLAD15KP14AE3详情
Microchip MXLPLAD15KP14AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
非标准 SMD
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Package
Bulk
Base Product Number
PLAD15
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MXLPLAD15KP14AE3
Power Dissipation (Max)
2.5 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Breakdown Voltage-Nom
16.4 V
Risk Rank
5.58
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
瞬态抑制器
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
R-PSSO-G1
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
CATHODE
电源线保护
无
电压 - 击穿
15.6V
功率 - 脉冲峰值
15000W (15kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
645A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
23.2V
电压 - 反向断态(典型值)
14V
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
14 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
15000 W
击穿电压-最小值
15.6 V
最大箝位电压
23.2 V
击穿电压-最大值
17.2 V
MXLPLAD15KP14AE3拓展信息
Microchip Technology
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