MXLPLAD15KP75AE3详情
Microchip MXLPLAD15KP75AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
非标准 SMD
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Product Status
活跃
厂商
微芯片技术
Base Product Number
PLAD15
Package
Bulk
Risk Rank
5.58
Breakdown Voltage-Nom
87.7 V
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Microsemi Corporation
Package Shape
RECTANGULAR
Power Dissipation (Max)
2.5 W
Manufacturer Part Number
MXLPLAD15KP75AE3
Rohs Code
有
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
操作温度
-65 to 150 °C
系列
Military, MIL-PRF-19500
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
颜色
Gray
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
瞬态抑制器
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
R-PSSO-G1
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
CATHODE
电源线保护
无
电压 - 击穿
8.33V
功率 - 脉冲峰值
15000W (15kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
1164A (1.164kA)
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
12.9V
电压 - 反向断态(典型值)
7.5V
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
75 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
15000 W
电缆直径
1.83 mm
击穿电压-最小值
83.3 V
最大箝位电压
121 V
击穿电压-最大值
92.1 V
MXLPLAD15KP75AE3拓展信息
Microchip Technology
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