MXLPLAD18KP10CAE3详情
Microchip MXLPLAD18KP10CAE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
供应商器件包装
28-SOJ
Memory Types
Volatile
Package
Bulk
Base Product Number
PLAD18
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tube
零件状态
Obsolete
类型
Zener
应用
通用型
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5 V ~ 5.5 V
基本部件号
IDT7164
内存大小
64Kb (8K x 8)
电源线保护
无
电压 - 击穿
11.1V
功率 - 脉冲峰值
18000W (18kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
1059A (1.059kA)
访问时间
20ns
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
17V
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
电压 - 反向断态(典型值)
10V
写入周期时间 - 字符、页面
20ns
双向通道
1
电容@频率
-
MXLPLAD18KP10CAE3拓展信息
Microchip Technology
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