Microchip MXLPLAD30KP48AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-240AA

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Lead Free Status / RoHS Status

--

Number of SCRs/Diodes

1 SCR, 1 Diode

Voltage-Off State

1.2kV

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Reverse Stand-off Voltage

48 V

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXLPLAD30KP48AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

56.1 V

Risk Rank

5.47

操作温度

-40°C ~ 125°C (TJ)

系列

--

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

基本部件号

MC*72

JESD-30代码

R-PSSO-G1

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

53.3V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

390A

最大反向漏电电流

10 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

77.4V

箝位电压

77.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

48V

峰值脉冲电流

390 A

峰值脉冲功率

30 kW

方向

单向

测试电流

5 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

48 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）

2.5V

电流-非反复浪涌 50, 60Hz (Itsm)

1700A, 1800A

最大闸极触发电流 （Igt）

150mA

最大保持电流（Ih）

200mA

单向通道数

1

最大开态电流（It （RMS））

180A

结构

Series Connection - SCR/Diode

最大开态电流（It （AV））

115A

击穿电压-最小值

53.3 V

最大箝位电压

77.4 V

击穿电压-最大值

58.9 V

最小击穿电压

53.3 V