Microchip MXLPLAD30KP70AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Hockey Puck

安装类型

底座安装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

--

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Voltage-Input

4 ~ 15VDC

Reverse Stand-off Voltage

70 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXLPLAD30KP70AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

81.9 V

Risk Rank

5.47

包装

Bulk

系列

双通道进化

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

终端样式

螺旋端子

JESD-30代码

R-PSSO-G1

资历状况

不合格

输出类型

AC

电路

SPST-NO (1 Form A) x 2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

77.8V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

264A

最大反向漏电电流

10 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

113V

箝位电压

113 V

电压 - 反向断态（典型值）

70V

峰值脉冲电流

264 A

峰值脉冲功率

30 kW

方向

单向

测试电流

5 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

70 V

电压-负荷

24V ~ 280V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

负载电流

50A

单向通道数

1

击穿电压-最小值

77.8 V

最大箝位电压

113 V

击穿电压-最大值

86 V

最小击穿电压

77.8 V