Microchip MXLPLAD6.5KP26CAE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD6.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXLPLAD6.5KP26CAE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

电压 - 供电

2.8V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

12MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

JESD-30代码

S-PSSO-G1

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

极性

BIDIRECTIONAL

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

28.9V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

154A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

42.1V

电压 - 反向断态（典型值）

26V

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

26 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

绝对牵引范围 (APR)

--

击穿电压-最小值

28.9 V

击穿电压-最大值

31.9 V

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

评级结果

--