MXLSMLJ110AE3详情
Microchip MXLSMLJ110AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AB, SMC
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
SMLJ110
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
R-PDSO-J2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MXLSMLJ110AE3
Power Dissipation (Max)
1.61 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.58
Part Package Code
DO-214AB
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
哑光锡
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
R-PDSO-J2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
电源线保护
无
电压 - 击穿
122V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
16.8A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
177V
电压 - 反向断态(典型值)
110V
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
110 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
击穿电压-最小值
122 V
击穿电压-最大值
135 V
MXLSMLJ110AE3拓展信息
Microchip Technology
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