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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥853.623805
10
¥805.305479
100
¥759.72215
500
¥716.719004
1000
¥676.15001
MXPLAD15KP30CAE3详情
Microchip MXPLAD15KP30CAE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Radial, Flat Oval
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange Braces, Right Angle
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Package
Bulk
厂商
Ohmite
Product Status
活跃
Base Product Number
PLAD15
Package Description
S-PSSO-G1
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MXPLAD15KP30CAE3
Power Dissipation (Max)
2.5 W
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.58
操作温度
-
系列
F10 Series
尺寸/尺寸
0.750 L x 0.375 W (19.05mm x 9.53mm)
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±260ppm/°C
类型
Zener
电阻
47 Ohms
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
组成
Wirewound
应用
通用型
功率(瓦特)
10W
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
1
JESD-30代码
S-PSSO-G1
资历状况
不合格
失败率
-
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
引线样式
焊片
电源线保护
无
电压 - 击穿
33.3V
功率 - 脉冲峰值
15000W (15kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
309A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
48.4V
电压 - 反向断态(典型值)
30V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
30 V
电容@频率
-
涂层/外壳类型
搪瓷涂层
最大非代表峰值转速功率Dis
15000 W
击穿电压-最小值
33.3 V
击穿电压-最大值
36.8 V
特征
-
座位高度(最大)
0.375 (9.53mm)
MXPLAD15KP30CAE3拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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