Microchip MXPLAD15KP85CAE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Voltage, Rating

25 V

Voltage Rating (DC)

25 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD15

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXPLAD15KP8.5CAE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.46

Reflow Temperature-Max (s)

40

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

容差

10 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

15 ppm/°C

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

电容量

33 nF

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

1

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

箱码（公制）

3216

箱码（英制）

1206

电介质

X7R

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

9.44V

功率 - 脉冲峰值

15000W (15kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

1041A (1.041kA)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

14.4V

电压 - 反向断态（典型值）

8.5V

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

8.5 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

15000 W

击穿电压-最小值

9.44 V

击穿电压-最大值

10.4 V

达到SVHC

Unknown