注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥891.452458
10
¥840.99288
100
¥793.389512
500
¥748.480675
1000
¥706.113841
MXPLAD30KP280AE3详情
Microchip MXPLAD30KP280AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
YES
底架
表面贴装
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Manufacturer Part Number
MXPLAD30KP280AE3
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
S-PSSO-G1
Risk Rank
5.47
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
2.5 W
Reflow Temperature-Max (s)
40
Supplier Package
PLAD
Direction Type
Uni-Directional
Mounting
表面贴装
Reverse Stand-off Voltage
280 V
RoHS
Compliant
Usage Level
Military grade
操作温度
-55 to 150 °C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Zener
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
1
JESD-30代码
S-PSSO-G1
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
跨压抑制二极管
电源线保护
无
最大反向漏电电流
10 µA
箝位电压
451 V
峰值脉冲电流
66 A
峰值脉冲功率
30 kW
方向
单向
测试电流
5 mA
Rep Pk反向电压-最大值
280 V
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
30000 W
ESD保护
有
单向通道数
1
击穿电压-最小值
311 V
击穿电压-最大值
345 V
最小击穿电压
311 V
MXPLAD30KP280AE3拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。