MXPLAD30KP280AE3
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Microchip MXPLAD30KP280AE3

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型号

MXPLAD30KP280AE3

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-MXPLAD30KP280AE3

商品类别

TVS - 二极管

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diode TVS Single Uni-Dir 280V 250W 2-Pin(1 Tab) PLAD

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MXPLAD30KP280AE3
MXPLAD30KP280AE3 Microchip Diode TVS Single Uni-Dir 280V 250W 2-Pin(1 Tab) PLAD

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MXPLAD30KP280AE3详情

Microchip MXPLAD30KP280AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 表面安装

    YES

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    1

  • Manufacturer Part Number

    MXPLAD30KP280AE3

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Package Description

    S-PSSO-G1

  • Risk Rank

    5.47

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • Power Dissipation (Max)

    2.5 W

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Supplier Package

    PLAD

  • Direction Type

    Uni-Directional

  • Mounting

    表面贴装

  • Reverse Stand-off Voltage

    280 V

  • RoHS

    Compliant

  • Usage Level

    Military grade

  • 操作温度

    -55 to 150 °C

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 组成

    Zener

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    1

  • JESD-30代码

    S-PSSO-G1

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • 电源线保护

  • 最大反向漏电电流

    10 µA

  • 箝位电压

    451 V

  • 峰值脉冲电流

    66 A

  • 峰值脉冲功率

    30 kW

  • 方向

    单向

  • 测试电流

    5 mA

  • Rep Pk反向电压-最大值

    280 V

  • 筛选水平

    Military

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    30000 W

  • ESD保护

  • 单向通道数

    1

  • 击穿电压-最小值

    311 V

  • 击穿电压-最大值

    345 V

  • 最小击穿电压

    311 V

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