Microchip MXPLAD30KP70AE3

包装/外壳

0201 (0603 Metric)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

201

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Kamaya Inc.

Product Status

活跃

Base Product Number

PLAD30

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXPLAD30KP70AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.47

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

RMC

尺寸/尺寸

0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±200ppm/°C

类型

Zener

电阻

26.1 kOhms

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

组成

厚膜

应用

通用型

功率(瓦特)

0.05W, 1/20W

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

1

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

失败率

-

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

77.8V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

264A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

113V

电压 - 反向断态（典型值）

70V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

70 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

击穿电压-最小值

77.8 V

击穿电压-最大值

86 V

特征

-

座位高度(最大)

0.010 (0.26mm)

评级结果

-