Microchip MXPLAD6.5KP36A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

端子形状

WRAPAROUND

越来越多的功能

SURFACE MOUNT

供应商器件包装

PLAD

介电材料

CERAMIC

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Operating Temperature-Min

-55

Operating Temperature-Max

125

Package Shape

矩形包装

Manufacturer Series

603

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD6.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MXPLAD6.5KP36A

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

温度系数

30ppm/Cel

类型

Zener

端子表面处理

镍外哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

电容量

0.0024uF

包装方式

TR, 7 INCH

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

JESD-30代码

S-PSSO-G1

电容式

陶瓷电容器

极性

UNIDIRECTIONAL

温度特性代码

C0G

多层

有

配置

SINGLE

尺寸代码

0603

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

正容差

5

负公差

5

电压 - 击穿

40V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

111A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

58.1V

电压 - 反向断态（典型值）

36V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

36 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

击穿电压-最小值

40 V

击穿电压-最大值

44.2 V