Microchip MXPLAD6.5KP43AE3

安装类型

通孔

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

电阻材料

Cermet

Lead Free Status / RoHS Status

--

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD6.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

47.8 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ipp - Peak Pulse Current

93 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

6.5 kW

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXPLAD6.5KP43AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

系列

RJ-6

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

尺寸/尺寸

Square - 0.276 L x 0.260 W x 0.343 H (7.00mm x 6.60mm x 8.70mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±100ppm/°C

类型

Zener

电阻

100 kOhms

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

终端样式

PC引脚

JESD-30代码

S-PSSO-G1

工作电压

43 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

47.8V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

93A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

69.4V

箝位电压

69.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

43V

单向通道

1

调整类型

侧面调节

产品类别

TVS 二极管

转弯数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

43 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

击穿电压-最小值

47.8 V

击穿电压-最大值

52.8 V