Microchip MXSMBG33AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-215AA, SMB Gull Wing

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage, Rating

75 V

Case Code - in

0603

Case Code - mm

1608

Maximum Operating Temperature

+ 155 C

Unit Weight

0.000071 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

PCB 安装

Manufacturer

Royalohm

Brand

Royalohm

RoHS

Details

Reverse Stand-off Voltage

33 V

Package

Bulk

Base Product Number

SMBG33

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXSMBG33AE3

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

38.65 V

Risk Rank

5.44

Part Package Code

DO-215AA

系列

General Purpose Thick Film

包装

Reel

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

容差

5 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 PPM / C

类型

Zener

电阻

110 mOhms

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Resistors

额定功率

100 mW (1/10 W)

技术

厚膜

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

36.7V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

11.3A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.3V

箝位电压

53.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

33V

峰值脉冲电流

11.3 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

厚膜电阻器

Rep Pk反向电压-最大值

33 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

36.7 V

最大箝位电压

53.3 V

击穿电压-最大值

40.6 V

最小击穿电压

36.7 V

特征

Wrap-Around Termination

产品类别

Thick Film Resistors - SMD

宽度

0.8 mm

高度

0.45 mm

长度

1.6 mm