Microchip SMBJ12E3/TR13

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AA, SMB

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

Supplier Package

DO-214AA

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Base Product Number

SMBJ12

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

13.3 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.003386 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Ipp - Peak Pulse Current

27.3 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Reverse Stand-off Voltage

12 V

Number of Elements

1

操作温度

-65 to 150 °C

系列

-

包装

切割胶带

类型

Zener

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

12 V

工作电压

12 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

13.3V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

27.3A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

22V

箝位电压

22 V

电压 - 反向断态（典型值）

12V

峰值脉冲电流

27.3 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

13.3 V

ESD保护

有

最小击穿电压

13.3 V

符合标准

符合RoHS标准

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无