TVS410SM详情
Microchip TVS410SM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP (0.300, 7.62mm)
底架
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
28-PDIP
Memory Types
Volatile
Reverse Stand-off Voltage
100 V
RoHS
Non-Compliant
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
--
包装
Tube
零件状态
Obsolete
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Zener
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5 V ~ 5.5 V
基本部件号
IDT7164
内存大小
64Kb (8K x 8)
元素配置
Single
电源线保护
无
访问时间
20ns
最大反向漏电电流
1 µA
箝位电压
160 V
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
峰值脉冲电流
910 mA
峰值脉冲功率
150 W
测试电流
1 mA
写入周期时间 - 字符、页面
20ns
单向通道数
1
最小击穿电压
111 V
TVS410SM拓展信息
Microchip Technology
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