Microchip UPTB8E3/TR7

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-216AA

表面安装

YES

供应商器件包装

Powermite 1 (DO216-AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Number of Elements per Chip

1

Supplier Package

动力螨

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

UPTB8

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

9 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

10.9 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1 kW

Package Description

S-PDSO-G1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UPTB8E3/TR7

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.3

Part Package Code

DO-216AA

操作温度

-65 to 150 °C

系列

UPT

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

通用型

附加功能

低漏电流

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PDSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

8 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

9V

功率 - 脉冲峰值

150W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

10.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

13.7V

箝位电压

13.7 V

电压 - 反向断态（典型值）

8V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

8 V

JEDEC-95代码

DO-216AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1000 W

击穿电压-最小值

9 V