Microchip VN3205N6

表面安装

NO

质量

1.200007 g

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

VN3205N6

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SUPERTEX INC

Part Package Code

DIP

Package Description

PLASTIC, DIP-14

Risk Rank

5.67

Drain Current-Max (ID)

1.5 A

Number of Elements

4

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

25 ns

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

高输入阻抗

最大功率耗散

3 W

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

14

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

4

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3 W

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

15 ns

漏源电压 (Vdss)

50 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.5 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

漏源击穿电压

50 V

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3 W

漏源电阻

300 mΩ

反馈上限-最大值 (Crss)

30 pF

环境耗散-最大值

3 W

宽度

6.35 mm

高度

3.3 mm

长度

19.3 mm