VP2106N3-GP003详情
Microchip VP2106N3-GP003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
VP2106N3-GP003
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.28
Drain Current-Max (ID)
0.25 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
附加功能
高输入阻抗
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-PBCY-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
漏极-源极导通最大电阻
12 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
VP2106N3-GP003拓展信息
Microchip
Microchip
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