VP2210N2详情
Microchip VP2210N2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
CA25
厂商
CTS-Frequency Controls
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
VP2210N2
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Supertex Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SUPERTEX INC
Risk Rank
5.91
Drain Current-Max (ID)
1.6 A
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
CA25L
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
电压 - 供电
2.5V
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
125 MHz
频率稳定性
±30ppm
输出量
LVDS
JESD-30代码
O-MBCY-W3
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
60mA
资历状况
不合格
电流 - 电源(禁用)(最大值)
15µA
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
扩频带宽
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-39
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.6 A
漏极-源极导通最大电阻
0.9 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
6 W
绝对牵引范围 (APR)
-
反馈上限-最大值 (Crss)
40 pF
环境耗散-最大值
6 W
座位高度(最大)
0.043 (1.10mm)
评级结果
AEC-Q200
VP2210N2拓展信息








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