Microchip Technology 1N5280B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

安装类型

通孔

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35 (DO-204AH)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

微芯片技术

Impedance (Max) (Zzt)

2400 Ohms

Product Status

活跃

Package

Bulk

Ir - Reverse Current

100 nA

Zz - Zener Impedance

2.4 kOhms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

100 nA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.005291 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

190 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.11 %/C

Schedule B

8541100050

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

190 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5280B

Power Dissipation (Max)

0.48 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.3

系列

-

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

480 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100 nA @ 144 V

功率耗散

480 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

100 nA

测试电流

660 µA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

190 V

齐纳电压

190 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-204AH

工作测试电流

0.66 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

100 nA

动态阻抗-最大值

2400 Ω

Vf-正向电压

1.5 V

产品类别

齐纳二极管

辐射硬化

无

无铅

无铅