Microchip Technology 1n5615us

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Package-A-2

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

D-5A

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

If - Forward Current

1 A

Ir - Reverse Current

500 nA

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

1N5615

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

200 V

Schedule B

8541100080

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5615US

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.75

包装

Bulk

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

快速恢复整流器

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

技术

Standard

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6 V @ 3 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

最大浪涌电流

30 A

输出电流-最大值

1 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

200 V

平均整流电流（Io）

1A

正向电压

1.6 V

最大反向电压（DC）

200 V

平均整流电流

1 A

反向恢复时间

150

峰值反向电流

500 nA

最大重复反向电压(Vrrm)

200 V

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

电容@Vr, F

45pF @ 12V, 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

30 A

二极管配置

Single

恢复时间

150 ns

重复峰值反向电压

200

反向恢复时间-最大值

0.15 µs

自然的热阻

13 °C/W

反向恢复时间(trr)

150 ns

产品

Rectifiers

Vf-正向电压

800 mV

辐射硬化

有

无铅

含铅