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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥50.765208
10
¥47.891705
100
¥45.180857
500
¥42.623445
1000
¥40.210798
Microchip Technology 1N5811E3
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- 对比
1N5811E3
1610-1N5811E3
二极管 - 整流器 - 单
B, Axial
大陆
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DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
1N5811E3详情
Microchip Technology 1N5811E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
B, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
B, Axial
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Vr - Reverse Voltage
150 V
Ir - Reverse Current
5 uA
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.032981 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
If - Forward Current
6 A
RoHS
Details
Package Description
ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN
Package Style
长式
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
1N5811E3
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.52
系列
Military, MIL-PRF-19500/477
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
快速恢复整流器
端子表面处理
哑光锡
应用
超快恢复
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
Diodes & Rectifiers
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-GALF-W2
资历状况
不合格
配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5 μA @ 150 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
875 mV @ 4 A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C ~ 175°C
最大浪涌电流
125 A
输出电流-最大值
6 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
150 V
平均整流电流(Io)
3A
产品类别
Rectifiers
相位的数量
1
反向恢复时间
30
电容@Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
最大非代表Pk前进电流
125 A
二极管配置
Single
恢复时间
30 ns
重复峰值反向电压
150
反向恢复时间-最大值
0.03 µs
反向恢复时间(trr)
30 ns
产品
Rectifiers
Vf-正向电压
875 mV
产品类别
Rectifiers
1N5811E3拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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