Microchip Technology 1N5833

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

Stud

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

DO-203AB, DO-5, Stud

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-5

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

1N5833

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-MUPM-D1

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N5833

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

GENESIC SEMICONDUCTOR INC

Forward Voltage-Max (VF)

0.7 V

Risk Rank

5.43

包装

Tray

系列

-

无铅代码

有

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

POWER

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MUPM-D1

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

20 mA @ 30 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

550 mV @ 40 A

箱体转运

CATHODE

正向电流

40 A

工作温度 - 结点

-65°C ~ 125°C

输出电流-最大值

40 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

30 V

平均整流电流（Io）

40A

相位的数量

1

峰值反向电流

20 mA

最大重复反向电压(Vrrm)

30 V

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

JEDEC-95代码

DO-203AB

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

800 A

最大非代表Pk前进电流

800 A

反向电流-最大值

1000 µA

辐射硬化

无