Microchip Technology 1N6110AE3
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1N6110AE3详情
Microchip Technology 1N6110AE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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安装类型
通孔
包装/外壳
Axial
供应商器件包装
B
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Base Product Number
1N6110
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Cd - Diode Capacitance
-
Breakdown Voltage / V
14.25 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Ipp - Peak Pulse Current
23.8 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
500 W
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
类型
Zener
应用
通用型
终端样式
Axial
工作电压
11.4 V
极性
双向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
14.25V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
23.8A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
21V
箝位电压
21 V
电压 - 反向断态(典型值)
11.4V
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
电容@频率
-
产品类别
微芯片技术
1N6110AE3拓展信息
Microchip Technology
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