Microchip Technology 1N6171US
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1N6171US
1610-1N6171US
TVS - 二极管
SQ-MELF, C
大陆
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ESD Suppressors / TVS Diodes TVS
1最小包装量--
1N6171US详情
Microchip Technology 1N6171US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, C
表面安装
YES
供应商器件包装
C, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
N
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.038801 oz
Package
Bulk
Base Product Number
1N6171
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-XELF-N2
Package Style
长式
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
1N6171US
Power Dissipation (Max)
7.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMTECH CORP
Breakdown Voltage-Nom
144 V
Risk Rank
5.37
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
MIL-PRF-19500/516
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
O-XELF-N2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
152V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
6.9A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
218.4V
电压 - 反向断态(典型值)
121.6V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
121.6 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
144 V
最大箝位电压
228.8 V
1N6171US拓展信息
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