注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.478715
10
¥10.828979
100
¥10.216015
500
¥9.637752
1000
¥9.09222
Microchip Technology 1N647-1
- 收藏
- 对比
1N647-1
1610-1N647-1
二极管 - 整流器 - 单
DO-204AH, DO-35, Axial
大陆
立即发货

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
--最小包装量--
¥
总价: ¥
1N647-1详情
Microchip Technology 1N647-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-35
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Base Product Number
1N647
Supplier Package
G 型外壳
Peak Pulse Power Dissipation
1500 W
Direction Type
Uni-Directional
Mounting
通孔
Schedule B
8541100080/8541100080
Vr - Reverse Voltage
400 V
Ir - Reverse Current
0.05 uA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
If - Forward Current
400 mA
RoHS
Details
Breakdown Voltage / V
13.6 V
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.044798 oz
Ipp - Peak Pulse Current
374 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Package Description
HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
1N647-1
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.21
Part Package Code
DO-35
系列
-
操作温度
-55 to 175 °C
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
应用
通用型
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.70
电容量
20 pF
子类别
Diodes & Rectifiers
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
额定电流
20 uA
引脚数量
2
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
工作电压
12 V
极性
单向
配置
Single
通道数量
1 Channel
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 400 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 400 mA
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
13.6V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
正向电流
400 mA
峰值脉冲电流(10/1000μs)
374A (8/20µs)
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
22.6V
箝位电压
22.6 V
电压 - 反向断态(典型值)
12V
工作温度 - 结点
-65°C ~ 175°C
最大浪涌电流
5 A
输出电流-最大值
0.4 A
测试电流
10 mA
单向通道
1
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
400 V
平均整流电流(Io)
400mA
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
峰值反向电流
50 nA
最大重复反向电压(Vrrm)
400 V
JEDEC-95代码
DO-35
电容@Vr, F
-
电容@频率
-
反向电压
400 V
二极管配置
Single
ESD保护
有
最大正向浪涌电流(Ifsm)
5 A
重复峰值反向电压
400
Vf-正向电压
1 V
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
高度
1.88 mm
1N647-1拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology






哦! 它是空的。