Microchip Technology 1N8182USe3
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1N8182USe3
1610-1N8182USe3
TVS - 二极管
SQ-MELF-2
大陆
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ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
1最小包装量--
1N8182USe3详情
Microchip Technology 1N8182USe3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SQ-MELF-2
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
A, SQ-MELF
RoHS
Details
Breakdown Voltage / V
190 V
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Ipp - Peak Pulse Current
510 mA
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
类型
Zener
应用
通用型
终端样式
SMD/SMT
工作电压
170 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
190V
功率 - 脉冲峰值
150W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
510mA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
294V
箝位电压
294 V
电压 - 反向断态(典型值)
170V
单向通道
1
电容@频率
-
1N8182USe3拓展信息
Microchip Technology
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