Microchip Technology 23K640-E/SNVAO
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23K640-E/SNVAO
1610-23K640-E/SNVAO
存储器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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64 KB SERIAL LOW POWER SRAM
--最小包装量--
23K640-E/SNVAO详情
Microchip Technology 23K640-E/SNVAO重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q100
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
1.27mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
23K640
JESD-30代码
R-PDSO-G8
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
64Kb 8K x 8
时钟频率
20MHz
内存格式
SRAM
内存接口
SPI
组织结构
8KX8
内存宽度
8
记忆密度
65536 bit
筛选水平
AEC-Q100; TS 16949
访问时间(最大)
32 ns
并行/串行
SERIAL
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
符合RoHS标准
23K640-E/SNVAO拓展信息
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