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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥171.105789
10
¥161.420553
100
¥152.283543
500
¥143.663721
1000
¥135.53181
Microchip Technology 2N1613L
- 收藏
- 对比
2N1613L
1610-2N1613L
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-5-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT Power BJT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N1613L详情
Microchip Technology 2N1613L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-5-3
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-39
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
N
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Transistor Polarity
NPN
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Base Product Number
2N1613
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
TO-5, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N1613L
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.1
Part Package Code
TO-5
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
800 mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-5
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
0.8 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
20
连续集电极电流
500
集电极-发射器电压-最大值
30 V
2N1613L拓展信息
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